含羞草的繁殖方法
[00111594]含羞草的繁殖方法
交易价格： 面议
类型： 专利
技术成熟度： 正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN200410051960.7
交易方式： 完全转让
联系人： 华南师范大学
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所在地：广东广州市
服务承诺 产权明晰 资料保密对所交付的所有资料进行保密
如实描述
技术详细介绍
含羞草的繁殖方法，它在现有技术五步骤--(1)外植体消毒,(2)萌发无菌苗,(3)诱导愈伤组织,(4)诱导不定芽发生和(5)培养生根的基础上对步骤(3)～(5)进行改进：步骤(3)采用MS+2mg/L2，4-D+0.2mg/L6-BA培养基；步骤(4)采用MS+1.0-2.0mg/L6-BA+0-0.5mg/LTDZ培养基或者B5+1.0-2.0mg/L6-BA+0-0.5mg/LTDZ培养基；步骤(5)采用B5+2mg/LIAA、1/2MS+0.5-2mg/LIBA、或者1/2MS+0.5-2mg/LNAA培养基。本方法能明显提高含羞草的无性繁殖系数，且操作简便。
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